工学部・工学研究科シラバス
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結晶デバイスセミナー1C(2.0 単位)

講義番号6844
課程区分前期課程
科目区分主専攻科目 主分野科目
授業形態セミナー
対象専攻・分野 応用物理学分野 結晶材料工学専攻
開講時期1 2年前期 2年前期
担当教員 中塚 理 教授  黒澤 昌志 講師  坂下 満男 助教 
柴山 茂久 助教 

•本講座の目的およびねらい
本セミナーは、輪講と雑誌会によって構成される。輪講は、半導体デバイスおよび半導体材料の研究を行うために必要な半導体物性や固体物理の基礎の習得を目的とし、教科書を用いて輪読・発表を行う。また、雑誌会は研究テーマに関連した論文を取り上げ、その研究分野の基礎や応用について理解し、視野を広げる。
達成目標:半導体材料の諸特性について理解し、研究・開発に必要な総合力・創造力につながる体系的な知識を身につける。

•バックグラウンドとなる科目
物性物理学、量子力学、熱・統計力学、電磁気学

•授業内容
1. エネルギーバンドの特徴
1-1. エネルギーバンド計算
1-2. エネルギーバンドにおける状態密度
1-3. 電子移動度と有効質量
1-4. バンドモデルと電気的特性
1-5. 実際の結晶におけるエネルギーバンド
1-6. エキシトンとポーラロン
1-7. バンドと結合(電気陰性度、結合長)
2. キャリア輸送
2-1. 波束を用いた粒子移動の記述
2-2. ボルツマン方程式とその解
2-3. 緩和時間近似おける電気伝導率
2-4. 半導体と金属の電気伝導率
2-5. 電子による熱伝導率
熱電効果

毎回のセミナーの前に該当箇所を読んでおくこと。セミナー終了後は、テキストの例題などを自分で解くこと。

•教科書
R. H. Bube, "Electronic Properties of Crystalline Solids"、等

•参考書
必要に応じてセミナーで紹介する。

•評価方法と基準
1. セミナーにおける口頭発表、および発表に対する質疑応答により、目標達成度を評価する。参考文献を読む、適切なレジュメを準備するなど、幅広い学習に心がけること。
2. 毎回セミナーに出席し、目的に向けた適切な発表、質疑を行うことができれば合格とする。難易度の高い問題に積極的に取り組み、発表や質疑を適切に行うことができれば、その水準に応じて成績に反映させる。

•履修条件・注意事項
履修条件は要さない。

•質問への対応
セミナー中に対応する。

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